GAIS - 即時新聞

陸聚焦6大領域抗美科技圍堵

...發布最終規則，預計年底前實施。此外，彭博日前揭露美國正考慮限制大陸取得ＡＩ晶片能力，尤其在環繞式閘極（ＧＡＡ）電晶體技術。美國持續限制北京取得關鍵技術能力，引起中方的緊迫感，也視技術突破為當前政策

韓媒：台積電漲價可望提升三星的競爭力 (5)

...董事安基賢說，「三星電子是唯一可替代台積電的代工廠」。儘管如此，三星電子或許會聚焦在自家的環繞式閘極（GAA）技術或統包策略，而非價格和利用率等短期因素。這位南韓科技巨頭也自詡為全球至今唯一提供尖端架構

德州儀器與台達電攜手推動電動車車載充電再進化

...車製造商通過最嚴格的安全標準 ASIL-D 等級的功能安全流程認證。此外亦計畫導入TI具備高整合性的車用隔離式閘極驅動器，協助車載充電器達到更高的功率密度，並持續減少整體解決方案尺寸。展望未來：TI 將挾帶自身在氮化

7埃米技術突破 imec 展示單片式 CFET 功能新元件

...電路技術研討會上，imec首次展示具備底／頂兩層堆疊接點的單片式CFET功能元件。這些CFET元件以18的閘極寬度進行整合，閘極間距為60奈米，n型與p型元件的垂直距離為50奈米。測試元件驗證了這款元件的電氣性能，該測試元件

末代 FinFET 設計！英特爾公布 Intel 3 製程節點細節

...晶體）技術設計的製程節點。在 Intel 3 之後，Intel 接下來將會轉入 Intel 20A 及 Intel 18A，並且改用 GAA（環繞式閘極結構）技術的 RibbonFET 設計。Intel 3 製程將劃分 4 個版本，包含標準 Intel 3 製程及採用矽穿孔設計的 Intel 3-T，另

聯發科創歷史新天價1,485元美中晶片戰下將如何？

...88元。近期，根據彭博社報導，美國拜登政府可能將限制中國大陸取得人工智慧AI晶片的技術，包括使用環繞式閘極場效電晶體（GAAFET）架構的晶片，但目前相關措施的範圍尚不明確。外資瑞銀證券分析，預估這波美中晶片抗

陸聚焦6大領域 抗美科技圍堵

韓媒：台積電漲價 可望提升三星的競爭力 (5)