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ASML：中國晶片製造技術將落後西方10至15年 (7)

荷蘭晶片設備製造商艾司摩爾（ASML）執行長福克近日表示，由於美國對中國禁止出口極紫外光（EUV）曝光設備，導致中國無法獲得尖端曝光機，中國晶片技術將落後西方10至15年。綜合香港阿思達克財經

華為Mate 70捨長江存儲、採SK海力士記憶體晶片 (6)

...12GB的NAND，而更高階的Mate 70 Pro+則採用16GB DRAM與相同的NAND 記憶體。這些晶片均由SK海力士以14奈米製程及先進極紫外光微影(EUV)技術生產。《TechInsights》分析師Jeongdong Choe指出，這些記憶體的出現令人意外，因為先前市場多數認

追加採購 EUV，日本政府傳擬對 Rapidus 出資 1 千億日圓 (2)

...對官民合作設立的晶圓代工廠 Rapidus 出資 1,000 億日圓，而 Rapidus 利用這筆資金追加採購生產先進晶片必需的極紫外光（EUV）微影設備。共同通信25日，日本政府已敲定方針，2025年下半出資Rapidus 1,000億日圓。Rapidus將從現有股東

長鑫成功量產DDR5 但良率不到20％？外媒分析原因

...體起飛」階段，尚有一段距離。理由在於，受到美國法規的限制，陸廠無法進口半導體製程不可或缺的先進極紫外光（EUV）曝光設備，此外，新政府也預期對中國大陸產品加徵高關稅、嚴加管控設備出口，陸製DRAM的成長勢必

台灣美光台中第三辦公大樓今舉行點交暨啟用典禮

...，涵蓋前後段製程，企業營運及全球團隊等。美光近來擴大加碼日本投資，預計廣島建設新DRAM工廠，並引入極紫外光刻設備（EUV），計劃2026年動工。美光強調，在日本將強調DEI（多樣性、公平性與包容性）聘雇模式，尤其著

韓媒：長鑫存儲DDR5良率可能僅有10~20%

...開始量產先進的DDR5記憶體，但良率可能僅有10~20%。BusinessKorea 24日，半導體業界觀察人士相信，受到美國禁止極紫外光(EUV)微影設備等先進半導體裝置販售至中國影響，長鑫存儲生產DDR5的良率很可能只有10~20%。ASML執行長Christop

默克斥資逾1.2億歐元於日本靜岡打造先進材料中心 (2)

...的成立，充分展現了默克推動晶片技術進步與永續創新的承諾。該中心專注於開發尖端材料和解決方案，如極紫外光（EUV, Extreme Ultra Violet）材料和定向自組技術（DSA, Directed Self Assembly），不僅致力於應對環境挑戰，也將滿足

粉絲扼腕！ASML EUV 樂高供不應求，僅限員工購買

...量版 Twinscan EXE:5000 樂高訂單。這款售價 230 美元（約新台幣 7,600 元）樂高是 3.8 億美元 High-NA EUV 高數值孔徑極紫外曝光機的微縮複刻，為紀念全球首套 High-NA EUV 誕生。儘管價錢不菲，需求量依然龐大。ASML 已限制每名消費者